Anric Technology, özellikle Atomik Katman Biriktirme ALD üzerine ince film biriktirme alanlarında teknoloji ve yeniliğe odaklanarak, Zorlu ince film biriktirme uygulamalarına çözümler sunar. ALD’ nin sizin için doğru olup olmadığını ve ALD sistemlerinin optimum hız, esneklik ve fiyat kombinasyonunu nasıl sağladığını öğrenin.
Atomik Katman Biriktirme (Atomic Layer Deposition) ALD ince film kaplama teknolojilerinden biridir. Kesin kontrol altında atom veya molekül tabakalarının bir malzeme yüzeyine çökertilmesi için kullanılmaktadır. Atomic Layer Deposition (ALD) çok hassas ve kesin bir şekilde atom veya molekül tabakalarını bir malzeme yüzeyine çökmek için kullanılan bir işlemdir. Bu teknik, nanoteknoloji, yarıiletken cihaz üretimi, kaplama ve yüzey mühendisliği gibi birçok uygulama alanında önemlidir.
Atomik Katman Biriktirme (Atomic Layer Deposition) ALD Çalışma Prensibi
Başlangıç Hazırlığı (Initialization): İlk adım, malzeme yüzeyinin temizlenmesi ve hazırlanmasıdır. Yüzey, herhangi bir kir, yağ veya oksit tabakası gibi kirleticilerden arındırılmaktadır. Bu temizleme işlemi, Atomic Layer Deposition (Atomik Katman Biriktirme) işleminin istenen sonuçlarına ulaşabilmesi için çok önemlidir.
İlk Prekurör İletimi (Adsorpsiyon): İlk prekurör adı verilen bir kimyasal bileşik veya gaz, malzeme yüzeyine uygulanır. İlk prekurör molekülleri, yüzeydeki aktif bağlantı yerlerine (reaktif gruplar veya eksik atomlar gibi) adsorbe olurlar. Bu adım, yüzeyin kaplanacak olan ilk atom veya molekül tabakasını karşılayacak şekilde hazırlanmasını sağlamaktadır.
İlk Prekurör Kalıntısının Temizlenmesi: İlk prekurörün fazla kısmı, inert bir taşıyıcı gaz (genellikle azot veya argon) ile yüzeyden uzaklaştırılır. Bu, yüzeyde istenmeyen kimyasal reaksiyonları önlemek içindir. Reaksiyonun sadece istenilen bölgelerde gerçekleşmesini sağlamak için gereklidir.
İkinci Prekurör İletimi (Reaksiyon): Atomik katman biriktirme İkinci prekurör olarak adlandırılan başka bir kimyasal bileşik veya gaz, yüzeydeki adsorbe olmuş ilk prekurör ile reaksiyona girecek şekilde uygulanır. İkinci prekurör molekülleri, yüzeydeki ilk prekurör ile kimyasal bir reaksiyona girer. İstenilen kimyasal bileşik veya tabakanın oluşturulmasına neden olur.
İkinci Prekurör Kalıntısının Temizlenmesi: İkinci prekurörün fazla kısmı da inert bir taşıyıcı gaz ile yüzeyden uzaklaştırılmaktadır. Bu adım, fazla kimyasal kalıntıları temizlemek için önemlidir. Aynı zamanda reaksiyonların istenmeyen yan etkilerini önlemek için gereklidir.
Atomik Katman biriktirme bu işlem döngüsü, bir atom veya molekül tabakasının yavaşça ve kesin bir şekilde bir araya getirilmesini sağlar. Her döngü sonunda bir tek katman eklenmektedir. İstenilen film kalınlığına ulaşmak için bu işlem döngüleri tekrarlanır. ALD‘ nin önemli bir özelliği, film büyümesini atomik veya moleküler hassasiyetle kontrol etme yeteneğidir. Bu, çok ince ve hassas kaplamaların üretimini sağlar.
Atomik Katman Biriktirme veya ALD, aşağıdaki uygulamalar için paha biçilmez bir araçtır.
- Nano ölçekte problem çözme ve cihazlar yaratma
- ALD sürecinin doğası gereği, önemli ve tanımlayıcı
- Elde edilen filmlerin özellikleri üretilmektedir.
ENERJİ
Silikon bazlı güneş pilleri – pasivasyon katmanı
ATOMİK KATMAN BİRİKTİRME NANO YAPI CİHAZLARI
Tek ve çok duvarlı karbon nanotüplerin kaplama / yüzey kimyası değişimi
BİYOTEKNOLOJİ
Yüzey modifikasyonu – 3B nesneler üzerinde biyouyumlu yüzey oluşturma
MİKROELEKTRONİK
Transistör yapıları – gate dielektrikleri, izolasyon çukurları, gate bağlantıları
ELYAF/TEKSTİL
Tekstil kaplama – Güç, renk ve diğer özellikler için eğrilmiş kumaşa uygulanan katmanlar
PLASTİK/POLİMERLER
Polimer yüzeylerde iletken tabakalar
KATALİZ
Yüksek yüzey alanlı katalizör yapıları ve gözenekli nano yapıların aktif madde ile kaplanması.
NUMUNE HAZIRLAMA
Atomik katman biriktirme SEM numuneleri için iletken katmanlar – Düşük sıcaklıklı iletkenlerin büyümesi.
